高性能、超可靠、低损耗

来源:杏彩平台 发布日期:2019-04-01 作者:杏彩

高性能、超可靠、低损耗

J系列EV-IPM采用第5代LPT-CSTBTTM硅技术。电流和温度传感器集成在模块内部的硅片上,杂散电感很低。该模块采用自1997年以来成功批量生产的先进制造工艺,实施从模块材料到零件和生产历史的晶圆级可追溯性管理,以满足ELV车辆的安全规范。目前开发的J系列EV-IPM产品的电流和电压水平为:300A / 600V、600A / 600V、150A / 1200V和300A / 1200V。

J系列EVT-PM采用第5代至第6代LPT-CSTBTTM硅技术,在模块内部的硅片上集成了电流和温度传感器。模块的内部结构不同于功率半导体晶片和具有铝线的主端子的先前连接,但DLB结构用于成功地延伸主端子以直接焊接功率半导体晶片。通过使用DLB结构提高了模块的可靠性。

此外,该模块采用二合一注塑薄膜封装技术,以降低模块内的布线电阻和电感,从而减少模块损耗。该模块实现了从模块材料到零件和生产历史的硅级可追溯性管理。符合ELV汽车安全规范,以确保汽车的质量和产品寿命。目前开发的J系列EVT-PM产品的电流和电压水平为:300A / 600V,600A / 600V和300A / 1200V。